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1. 外部メモリー・インターフェイス Agilex™ 7 FシリーズおよびIシリーズFPGA IPについて
2. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – 概要
3. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP - 製品アーキテクチャー
4. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP - エンドユーザーの信号
5. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – メモリーIPのシミュレーション
6. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – DDR4のサポート
7. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – QDR-IVのサポート
8. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – タイミング・クロージャー
9. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – I/Oのタイミング・クロージャー
10. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP – コントローラーの最適化
11. Agilex™ 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IP - デバッグ
12. 外部メモリー・インターフェイス Agilex™ 7 FシリーズおよびIシリーズFPGA IPユーザーガイド・アーカイブ
13. 外部メモリー・インターフェイス Agilex™ 7 FシリーズおよびIシリーズFPGA IPユーザーガイドの改訂履歴
3.1. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: 概要
3.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのシーケンサー
3.3. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのキャリブレーション
3.4. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのコントローラー
3.5. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるユーザーが要求するリセット
3.6. ハード・プロセッサー・サブシステム向け Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF
3.7. ハードPHYでのカスタム・コントローラーの使用
3.1.1. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: I/Oサブシステム
3.1.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: I/O SSM
3.1.3. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: I/Oバンク
3.1.4. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: I/Oレーン
3.1.5. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: 入力DQSクロックツリー
3.1.6. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: PHYクロックツリー
3.1.7. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: PLLリファレンス・クロック・ネットワーク
3.1.8. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIFのアーキテクチャー: クロックの位相アライメント
3.3.4.3.1. キャリブレーション・レポートの情報を使用してのキャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.2. アドレスおよびコマンドのレベリング・キャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.3. アドレスおよびコマンドのデスキューエラーのデバッグ
3.3.4.3.4. DQSイネーブルエラーのデバッグ
3.3.4.3.5. 読み出しのデスキュー・キャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.6. VREFINキャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.7. LFIFOキャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.8. 書き込みレベリングエラーのデバッグ
3.3.4.3.9. 書き込みのデスキュー・キャリブレーション・エラーのデバッグ
3.3.4.3.10. VREFOUTキャリブレーション・エラーのデバッグ
4.1.1.1. DDR4のlocal_reset_req
4.1.1.2. DDR4のlocal_reset_status
4.1.1.3. DDR4のpll_ref_clk
4.1.1.4. DDR4のpll_locked
4.1.1.5. DDR4のac_parity_err
4.1.1.6. DDR4のoct
4.1.1.7. DDR4のmem
4.1.1.8. DDR4のstatus
4.1.1.9. DDR4のafi_reset_n
4.1.1.10. DDR4のafi_clk
4.1.1.11. DDR4のafi_half_clk
4.1.1.12. DDR4のafi
4.1.1.13. DDR4のemif_usr_reset_n
4.1.1.14. DDR4のemif_usr_clk
4.1.1.15. DDR4のctrl_amm
4.1.1.16. DDR4のctrl_amm_aux
4.1.1.17. DDR4のctrl_auto_precharge
4.1.1.18. DDR4のctrl_user_priority
4.1.1.19. DDR4のctrl_ecc_user_interrupt
4.1.1.20. DDR4のctrl_ecc_readdataerror
4.1.1.21. DDR4のctrl_ecc_status
4.1.1.22. DDR4のctrl_mmr_slave
4.1.1.23. DDR4のhps_emif
4.1.1.24. DDR4のemif_calbus
4.1.1.25. DDR4のemif_calbus_clk
4.1.2.1. QDR-IVのlocal_reset_req
4.1.2.2. QDR-IVのlocal_reset_status
4.1.2.3. QDR-IVのpll_ref_clk
4.1.2.4. QDR-IVのpll_locked
4.1.2.5. QDR-IVのoct
4.1.2.6. QDR-IVのmem
4.1.2.7. QDR-IVのstatus
4.1.2.8. QDR-IVのafi_reset_n
4.1.2.9. QDR-IVのafi_clk
4.1.2.10. QDR-IVのafi_half_clk
4.1.2.11. QDR-IVのafi
4.1.2.12. QDR-IVのemif_usr_reset_n
4.1.2.13. QDR-IVのemif_usr_clk
4.1.2.14. QDR-IVのctrl_amm
4.1.2.15. QDR-IVのemif_calbus
4.1.2.16. QDR-IVのemif_calbus_clk
4.4.1. ctrlcfg0
4.4.2. ctrlcfg1
4.4.3. dramtiming0
4.4.4. sbcfg1
4.4.5. caltiming0
4.4.6. caltiming1
4.4.7. caltiming2
4.4.8. caltiming3
4.4.9. caltiming4
4.4.10. caltiming9
4.4.11. dramaddrw
4.4.12. sideband0
4.4.13. sideband1
4.4.14. sideband4
4.4.15. sideband6
4.4.16. sideband7
4.4.17. sideband9
4.4.18. sideband11
4.4.19. sideband12
4.4.20. sideband13
4.4.21. sideband14
4.4.22. dramsts
4.4.23. niosreserve0
4.4.24. niosreserve1
4.4.25. sideband16
4.4.26. ecc3: ECCエラーおよび割り込みのコンフィグレーション
4.4.27. ecc4: ステータスとエラー情報
4.4.28. ecc5: 最新のSBEまたはDBEのアドレス
4.4.29. ecc6: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレス
4.4.30. ecc7: 最新のSBEまたはDBEのアドレスの拡張
4.4.31. ecc8: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレスの拡張
6.1. Intel Agilex® 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IPのパラメーターの説明
6.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズExternal Memory Interfaces Intel Calibration IPのパラメーター
6.3. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF DDR4 IPにおけるレジスターマップのIP-XACTのサポート
6.4. Intel Agilex® 7 FPGA FシリーズおよびIシリーズEMIF IPのピンおよびリソースのプランニング
6.5. DDR4ボードのデザイン・ガイドライン
6.1.1. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: General
6.1.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Memory
6.1.3. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem I/O
6.1.4. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: FPGA I/O
6.1.5. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem Timing
6.1.6. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Controller
6.1.7. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Diagnostics
6.1.8. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Example Designs
7.1.1. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: General
7.1.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Memory
7.1.3. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: FPGA I/O
7.1.4. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Mem Timing
7.1.5. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Controller
7.1.6. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズ EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Diagnostics
7.1.7. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Example Designs
11.1. インターフェイスのコンフィグレーションにおける性能の問題
11.2. 機能的な問題の評価
11.3. タイミング問題の特徴
11.4. Signal Tapロジック・アナライザーでのメモリーIPの検証
11.5. ハードウェアのデバッグ・ガイドライン
11.6. ハードウェアの問題の分類
11.7. 外部メモリー・インターフェイス・デバッグ・ツールキットを使用したデバッグ
11.8. デフォルトのトラフィック・ジェネレーターの使用
11.9. コンフィグレーション可能なトラフィック・ジェネレーター (TG2) の使用
11.10. EMIFオンチップ・デバッグ・ポート
11.11. Efficiency Monitor
11.7.4.3.1. キャリブレーション・レポートの情報を使用してのキャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.2. アドレスおよびコマンドのレベリング・キャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.3. アドレスおよびコマンドのデスキューエラーのデバッグ
11.7.4.3.4. DQSイネーブルエラーのデバッグ
11.7.4.3.5. 読み出しのデスキュー・キャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.6. VREFINキャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.7. LFIFOキャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.8. 書き込みレベリングエラーのデバッグ
11.7.4.3.9. 書き込みのデスキュー・キャリブレーション・エラーのデバッグ
11.7.4.3.10. VREFOUTキャリブレーション・エラーのデバッグ
インテルのみ表示可能 — GUID: mbu1597768782043
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6.1.2. Intel Agilex® 7 FシリーズおよびIシリーズEMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Memory
表示名 | 詳細 |
---|---|
Memory format | 外部メモリーデバイスの形式を指定します。次の形式がサポートされています。Component - ディスクリート・メモリーデバイス。UDIMM - レジスターなし/バッファーなしDIMMであり、アドレス/コントロール、クロック、およびデータはバッファーされません。RDIMM - レジスター付きDIMMであり、アドレス/コントロール、およびクロックがバッファーされます。LRDIMM - 負荷低減DIMMであり、アドレス/コントロール、クロック、およびデータがバッファーされます。LRDIMMは、負荷を低減することでメモリー速度を向上させます。また、RDIMMよりも高い密度をサポートします。SODIMM - Small Outline DIMMはUDIMMに類似していますが、サイズが小さく、一般的にスペースに限りがあるシステムに使用されます。一部のメモリープロトコルには、使用できない形式がある場合があります。(識別子: MEM_DDR4_FORMAT_ENUM)
注:
|
DQ width | インターフェイスのデータピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR4_DQ_WIDTH) |
DQ pins per DQS group | 各DQSグループのDQピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR4_DQ_PER_DQS) |
Number of DQS groups | インターフェイスのDQSグループの数を指定します。この値は、DQ幅をDQグループあたりのDQピンの数で割ることにより、自動的に計算されます。 |
Number of clocks | メモリー・インターフェイスによって公開されるCK/CK#クロックペアの数を指定します。RDIMMまたはLRDIMMの形式には通常、複数のペアが必要です。このパラメーターの値は、選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのメモリーデバイスのデータシートを確認してください。(識別子: MEM_DDR4_CK_WIDTH) |
Number of DIMMs | DIMMの総数です。(識別子: MEM_DDR4_NUM_OF_DIMMS) |
Number of physical ranks per DIMM | DIMMごとのランク数です。LRDIMMの場合、これはメモリーバッファーの後ろにあるDIMMの物理ランク数を表します。(識別子: MEM_DDR4_RANKS_PER_DIMM) |
Number of chip selects per DIMM | DIMMあたりのチップセレクト数を指定します。 |
Number of Chip Select | チップセレクトの数を指定します。 |
Chip ID width | チップIDピンの数を指定します。3DS/TSVメモリーデバイスを使用するレジスター付きDIMMおよび負荷低減DIMMにのみ適用されます。(識別子: MEM_DDR4_CHIP_ID_WIDTH) |
Row address width | 行アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照してください。選択したメモリーデバイスの密度により、利用可能なすべての行へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決まります。(識別子: MEM_DDR4_ROW_ADDR_WIDTH) |
Column address width | 列アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照してください。選択したメモリーデバイスの密度により、利用可能なすべての列へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決まります。(識別子: MEM_DDR4_COL_ADDR_WIDTH) |
Bank address width | バンクアドレス・ピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照してください。選択したメモリーデバイスの密度により、利用可能なすべてのバンクへのアクセスに必要なバンクアドレス・ピンの数が決まります。(識別子: MEM_DDR4_BANK_ADDR_WIDTH) |
Bank group width | バンクグループ・ピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照してください。選択したメモリーデバイスの密度により、利用可能なすべてのバンクグループへのアクセスに必要なバンクグループ・ピンの数が決まります。(識別子: MEM_DDR4_BANK_GROUP_WIDTH) |
Data mask | インターフェイスでデータマスク (DM) ピンを使用するかを示します。この機能により、データバスの指定した部分をメモリーに書き込むことができるようになります (x4モードでは使用できません)。DQSグループごとに1つのDMピンが存在します。(識別子: MEM_DDR4_DM_EN) |
Write DBI | インターフェイスで書き込みデータバス反転 (DBI) を使用するかを指定します。この機能は、より良いシグナル・インテグリティーと書き込みマージンをもたらします。この機能は、データマスクが有効になっている場合、またはx4モードでは使用できません。(識別子: MEM_DDR4_WRITE_DBI) |
Read DBI | インターフェイスで読み出しデータバス反転 (DBI) を使用するかを指定します。この機能を有効にし、より良いシグナル・インテグリティーと読み出しマージンを実現します。この機能は、x4のコンフィグレーションでは使用できません。(識別子: MEM_DDR4_READ_DBI) |
Enable address mirroring for odd chip-selects | マルチCSディスクリート・コンポーネントのアドレス・ミラーリングを有効にします。一般的に、コンポーネントがクラムシェルのレイアウトで配置されている場合に使用されます。(識別子: MEM_DDR4_DISCRETE_MIRROR_ADDRESSING_EN) |
Enable address mirroring for odd ranks | デュアルランクまたはクアッドランクDIMMのアドレス・ミラーリングを有効にします。(識別子: MEM_DDR4_MIRROR_ADDRESSING_EN) |
ALERT# pin placement | mem_alert_n信号の配置を指定します。「Automatically select a location」を選択している場合、IPは自動的にmem_alert_n信号のピンを選択します。このオプションを選択している場合、mem_alert_nピンには位置に関するそのほかの制約を適用することができません。これに従わない場合は、コンパイル中にフィッターエラーが発生します。 Intel Agilex® 7ファミリーのデバイスの場合: Address/Command Lane 2, Pin 8もしくはAddress/Command Lane 3, Pin 8のいずれかを手動で選択するオプションのみがあります。複数のメモリーデバイスを含むインターフェイスの場合は、ALERT#ピンをともにFPGAのALERT#ピンに接続する必要があります。(識別子: MEM_DDR4_ALERT_N_PLACEMENT_ENUM) |
表示名 | 詳細 |
---|---|
Memory CAS latency setting | 読み出しコマンドからメモリーデバイスで出力データの最初のビットが利用可能になるまでのクロックサイクルを指定します。全体的な読み出しレイテンシーは、アディティブ・レイテンシー (AL) + CASレイテンシー (CL) に等しくなります。全体的な読み出しレイテンシーは、選択しているメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照してください。(識別子: MEM_DDR4_TCL) |
Memory write CAS latency setting | 内部の書き込みのリリースから、メモリーデバイスで最初のデータがラッチされるまでのクロックサイクル数を指定します。この値は選択しているメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照してください。(識別子: MEM_DDR4_WTCL) |
Memory Additive CAS latency setting | メモリーデバイスのポステッドCASアディティブ・レイテンシーを決定します。この機能を有効にすると、コマンドとバスの効率が向上し、システムの帯域幅が拡大します。(識別子: MEM_DDR4_ATCL_ENUM) |
表示名 | 詳細 |
---|---|
Addr/CMD parity latency | キャリブレーション後の、アドレス/コマンド・パリティー・チェックを有効にすることで発生する追加レイテンシーです。Select a valueで、選択した値に関連付けられたレイテンシーでアドレス/コマンド・パリティーを有効にします。Disableを選択すると、アドレス/コマンド・パリティーは無効になります。アドレス/コマンド・パリティーは、この設定の値に関係なく、キャリブレーション時に自動的に有効になります。 |
Fine granularity refresh | リフレッシュの短縮と引き換えにリフレッシュの頻度を増やします。tRFCを短くし、サイクルタイムを増やすと、より高い帯域幅につながります。(識別子: MEM_DDR4_FINE_Granularity_Refresh) |