インテル® シリコン・フォトニクス・テクノロジー

光でデータを転送

高速光接続製品の新たなクラス。

シリコン・フォトニクス分野で大きなビジネスチャンスを広げるインテル

シリコン・フォトニクスは、集積回路と半導体レーザーという 20 世紀最大のイノベーションに数えられる 2 つのテクノロジーを合体させたものです。従来の電子技術に比べて、より長い距離をより高速にデータを転送できます。シリコンを効率的に大量生産できるインテルの製造技術からも、経済性がもたらされます。

シリコン・フォトニクス分野で業界をリードするインテルは、フォームファクターの小型化と、現在の 100G から将来の 400G を超える高速化によって、未来のデータセンターで帯域幅の拡大と次世代 5G の導入の実現を目指しており、光接続と統合する新しいプラットフォームも提供しています。

この新しいテクノロジーは、処理能力を低下させるネットワークのボトルネックを解消することで、総保有コストを削減し、データセンター・アーキテクチャーのパフォーマンスを向上させます。シリコン・フォトニクスには以下のようなメリットがあります。

ソフトウェアによる構成が可能な、コンピューターとストレージへの高帯域幅アクセスを実現
ソフトウェア・デファインド・インフラストラクチャー (SDI) の導入により、ハードウェア・リソースとソフトウェア・リソースを切り離して、データセンターのディスアグリゲート化 (分離) を実現

インテル® シリコン・フォトニクスの光トランシーバーはすでに量産体制に入っています。そのため、データセンターは以下の製品およびサービスを介して、毎秒 100 ギガビットに及ぶ通信ソリューションを高い費用対効果で導入できます。

既存の業界における 4G/5G RAN の最前線に向けた光ファイバーへの移行を活用。

デュアルレート 40G/100G CPRI および eCPRI に対応。デュプレクス・シングルモード・ファイバーにより、最大到達距離 10 km を実現。動作温度範囲は -40°C ～ 85℃。高速かつ低消費電力。

デュプレクス・シングルモード・ファイバーにより、最大到達距離 10km を実現。高速かつ低消費電力。100G CWDM4 および CLR4 MSA、QSFP28、CAUI-4 に準拠。²

並行シングルモード・ファイバーにより、最大到達距離 2km を実現。100G PSM4 MSA、QSFP28、CAUI-4 に準拠。

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テクノロジーに関する記述は、インテル社内での仕様と、市場におけるメモリー製品の公表された仕様に表示されているメモリー・テクノロジーのレイテンシー、密度、書き込みサイクル指標の比較に基づきます。

製品開発者、ソフトウェア開発者、システム・インテグレーターによる使用に限定されます。評価のみ: 再販は FCC に承認されていません。