• インテル® Optane™ パーシステント・メモリー (PMem) は、DRAM との間に次のような共通点を有しています: DIMM でのパッケージ化、DRAM と同じバス/チャンネルの共有。これにより、DRAM 同様に揮発性データの格納が可能です。
• インテル® Optane™ パーシステント・メモリー (PMem) は、DRAM にはない斬新で心躍る機能を多数有しています。パーシステント ・ メモリーは従来の DRAM よりもはるかに大きな容量を実現します。パーシステント ・ メモリー・モジュールの容量には 128GB、256GB、512GB があり、4GB から 32GB のレンジが一般的である DRAM モジュールよりもはるかに大容量です (32GB 超の DRAM も存在します)。また、パーシステント ・ メモリーはモジュールへの電源供給がない状態でのデータ保持を実現するパーシステント・モードで動作させることで、データの安全性を高めることができます。パーシステント・メモリーは DRAM モジュールほど高速ではありませんが、優れたコスト/容量比と DRAM を超える容量増設が可能なため、DRAM と比べて総合的な TCO が著しく向上します。

インテル® Optane ™ パーシステント ・ メモリー (PMem) とインテル® Optane™ SSD は共にインテル® Optane™ メモリーメディアで構成されますが、多くの相違点があります。インテル® Optane™ パーシステント・メモリーは DRAM バスで動作する DIMM パッケージで、揮発性にも不揮発性にもなることができ、DRAM を代替します。一方、インテル® Optane™ SSD は標準的な NAND パッケージモデル (AIC、M.2、U.2、EDSF など) に属し、高速ストレージとしての使用に限定されます。NVMe* プロトコルを使用した PCIe バスで動作し、ストレージであることから永続性があり、高速ストレージを代替します。さらに、インテル® Optane™ SSD はいかなる キュー深度でも (特に 小さいキュー深度の時) パフォーマンスが飛躍的に向上し (NAND の最大 6 倍高速)、高負荷時の応答性が一貫して優れており (書き込み時は NANDの最大 63 倍高速)、高い QoL (NAND の最大 60 倍)、高い耐久性能を有します (NAND の最大 20 倍超のテラバイトの書き込みが可能)。

NVDIMM (不揮発性デュアル・インライン・メモリー・モジュール) は非通電時もデータを保持するハイブリッド型のメモリーです。一般的に NVDIMM は、1 つのメモリー・サブシステム上で DRAM と専用の予備電源を不揮発性 NAND フラッシュに統合します。これにより持続性が提供されますが、DRAM モジュールに二次電源サブシステムを組み合わせた場合と同程度の NAND ストレージが必要になるため、通常はより高額になります。また、停電時には状態の保存と復元が遅くなります。さらに、バッテリーがメンテナンスされていなかったり、故障したりした場合にはバックアップ機能が失われてしまいます。インテル® Optane™ パーシステント・メモリーを使用すると、追加コンポーネントが不要になります。バッテリーの交換、追加のストレージも必要ありません。このためコストが削減され、復元時のパフォーマンスへの影響もありません。