Transforming the Economics of Storage

Intel® 3D NAND Technology extends our leadership in flash memory with an architecture designed for higher capacity and optimal performance, a proven manufacturing process providing accelerated transitions and scaling, and rapid portfolio expansion for multiple market segments.

Storage Capacity Empowered by Intel® Innovation

Intel introduces the world’s first PCIe* SSDs with QLC technology. Intel® QLC 3D NAND Technology provides up to 33% higher capacity1 than its 3D NAND predecessor. It also uniquely features PCIe* acceleration, to deliver a reliable mix of performance, capacity, and value-making it a smart storage solution for both datacenter and client markets.

Intel® QLC Technology leverages current 3D NAND, with a proven 64-layer structure, and adds a new cell that provides 4bits/cell (QLC), making it the world's highest-density flash memory. Additionally, this technology uses a floating gate cell because it is a reliable, low-cost storage method. Last, Intel® QLC Technology was paired with PCIe*- (NVMe*) technology, to provide up to a 4x performance benefit over SATA interfaces.2

Prepare for the future with Intel QLC-built on reliable Intel® technology and backed by Intel manufacturing leadership.

Finally, SSD Performance Meets Big Business Value

For datacenters, Intel® QLC 3D NAND Technology radically shrinks HDD system footprints.3 Fewer systems to maintain lead to power and cooling savings4, while also reducing operation and capital costs associated with drive replacements.5 And while footprint goes down, performance goes up.6 PCIe* acceleration blasts through SATA bottlenecks7, unleashing the full power of QLC. When coupled with optional Intel® Optane™ technology, Intel® 3D NAND Technology datacenter products deliver even better performance2, accelerating access to data needed most.

Do more, store more, and save more with Intel® QLC Technology featured in the Intel® SSDs D5-P4320 and D5-P4326 Series-Currently shipping in limited quantities and available broadly winter, 2018.

Amazing Is Now Affordable

Intel® QLC 3D NAND Technology enables consumers to tackle today’s storage needs and prepare for the growing demands of tomorrow. These client SSDs pack in more data than TLC-based storage, allowing up to 2x more capacity in identical footprints.1 Only Intel coupled this game-changing technology with PCIe* to deliver affordable PCIe performance.

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Architected for Capacity and Reliability

Intel® 3D NAND Technology is an innovative response to the industry’s growing demand for data storage capacity. Compared to other available NAND solutions, Intel® 3D NAND Technology is designed on floating gate architecture with a smaller cell size and a highly efficient memory array, which enables higher capacity solutions and high reliability with strong protection from charge loss.

See How 3D NAND Advances Storage

Intel® 3D NAND Technology accelerates Moore's Law into three dimensions, overcoming the capacity limitations of traditional 2D NAND technology. The vertical layering of our 3D NAND enables higher areal density today, with scalability for the future.

Innovation Leadership

64-Layer Breakthrough

Intel has applied 30 years of flash cell experience to transition NAND from 2D to 3D, multi-level cell (MLC) to tri-level cell (TLC), and 32-layer to our breakthrough 64-layer technology. All of this is done to deliver the highest areal density8 and rapidly grow storage capacities in 3D NAND solutions.

Expansive Portfolio

Built on a Proven Process

With 3D NAND technology, Intel delivers innovative, high-value capabilities into a broad product portfolio. Our experience of designing this architecture into SSD solutions enables us to rapidly improve performance, power consumption, performance consistency, and reliability with each generation.

Manufacturing Scalability

Enabling Disruptive Opportunities

Intel is using manufacturing processes proven by decades of high volume output to build 3D NAND technology. With strong generational synergy across our factory network, Intel expects to grow 3D NAND capacity faster than the market, enabling us to deliver disruptive total cost of ownership and application acceleration to our customer base.

免責事項

1

TLC (Triple Level Cell) は 1 セルに 3 ビットの情報を格納します。一方、QLC (Quad Level Cell) は 1 セルに 4 ビットの情報を格納します。計算すると、QLC は TLC に比べて、1 セル当たりのビット数が (4-3)/3 = 33% 多いことになります。

 

2

4 ノード vSAN クラスター – 1 ノードシステム構成: サーバーモデル: インテル® Purley S2600WF (R2208WFTZS)、MB: H48104-850、CPU: デュアルインテル® Xeon® Gold 6142 プロセッサー 2.60GHz、16C/32T、10.4GT/s、22M キャッシュ、ターボ、HT (150W) DDR4-2666、メモリー: 16GB RDIMM、2666MT/s、デュアルランク x16、NICs: インテル® X520-DA2 10GbE SFP+ DAC、組込み機器向けインテル® X722 10GbE LAN。完全 TLC 構成: インテル® SSD データセンター P4610 シリーズ 1.6TB x2 (キャッシュ層) とインテル® SSD データセンター P4510 シリーズ 4TB x4 (ストレージ領域)。インテル® Optane™ メモリー + QLC 構成: インテル® Optane™ SSD DC P4800X 375GB x2 (キャッシュ層) とインテル® SSD D5-P4320 7.68TB x2 (ストレージ領域)。2 ワークロード: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench VM 数: 16、データディスク数: 8、データディスク・サイズ: 60、テスト対象ディスク数: 8、ワーキングセットの割合: 100%、1 ディスク当たりのスレッド数: 4、ブロックサイズ: 4K、リード処理の割合: 70%、ランダムの割合: 50%、テスト時間: 3600。結果: インテル® SSD データセンター P4610 シリーズ + インテル® SSD データセンター P4510 シリーズの構成では、83,451 IOPS @ 6.3ms レイテンシー。インテル® Optane™ SSD DC P4800X + インテル® SSD D5-P4320 の構成では、346,644 IOPS @ 1.52ms レイテンシー。 

 

3

WD Gold エンタープライズ・クラス 3.5 インチ 7200rpm HDD 4TB を 2U につき最大 24 基搭載すると、20U の合計容量は 960TB となります。その一方で、近日発売予定のインテル® SSD D-5 P4326 E1.L 30.72TB を 1U につき最大 32 基搭載すると、1U の合計容量は 983TB となります。つまり、後者のラック 1 ユニットが前者のラック 20 ユニットに匹敵します。

 

4

電力、冷却、コンソリデーションのコスト削減については、 次のデータに基づいています。HDD: 7200 rpm、4TB、年間故障率 2.00%、動作時消費電力 7.7W、2U に 24 ドライブ (全体の消費電力 1971W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 動作時消費電力 22W、年間故障率 44%、1U に 32 ドライブ (全体の消費電力 704W)。冷却コストは稼働期間 5 年、1 Kwh 当たり 0.158 ドル、1 ワットの熱の冷却に要するワット数 1.20 として計算しています。HDD は 3.5 インチ (2U に 24 ドライブ)、SSD は EDSFF 準拠 1U ロング (1U に 32 ドライブ) です。ハイブリッド・ストレージでキャッシュ層にインテル® TLC SSD を使用することを前提としています。

 

5

ドライブ交換のコスト削減については、 次の計算に基づいています。HDD: AFR 2% x 256 ドライブ x 5 年 = 5 年間に 25.6 回の全交換、SSD: AFR 0.44% x 32 ドライブ x 5 年 = 5 年間に 0.7 回の全交換。

 

6

インテル® SSD D5-P4320 と Toshiba N300 HDD において、4K ランダムリード処理をキューの深度 32 で実行した場合の IOPS を比較。175,000 IOP: インテル® SSD D5-P4320 7.68TB における測定値。4K ランダムリード処理時の IOPS、キューの深度 32。532 IOPS: Toshiba N300 HDD 8TB 7200 における Tom’s Hardware 公開のベンチマーク結果。4K ランダムリード処理時の IOPS、キューの深度 32 (https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html)。したがって 4K ランダムリード処理時の IOPS は 329 倍優れています。

 

7

PCIe* IOPS は、インテルが実施した 4K ランダムリード処理 (キューの深度 256) シミュレーションのパフォーマンス評価に基づいています。評価の対象は、インテル® SSD D5-P4320/D5-P4326 (PCIe* 対応 QLC SSD) のさまざまな容量タイプ (3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB) です。SATA IOPS はすべての容量タイプで 100K IOPS に設定しています。これは、現在の競合製品である Micron* の SATA ベース SSD で処理可能な最大値 100K IOPS を基準としています。Micron* 5200 シリーズ NAND Flash SSD のデータシートでは、3.84TB SKU および 7.68TB SKU において 4K ランダムリード処理 (キューの深度 32) を実行した場合、最大で 95K IOPS とされています。データシートについては、こちらを参照してください。https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

3D NAND 対応インテル® SSD 512 GB の代表的な競合製品 (Samsung Electronics* と Western Digital*/Toshiba* の 64 スタック 3D NAND コンポーネントのダイサイズを論じた 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference の文書に基づく) をインテルが測定したデータの面密度から比較。