ストレージの経済性を変革

インテル® 3D NAND テクノロジーは、容量の拡大と最適なパフォーマンス向けに設計されたアーキテクチャー、移行と拡張を短期間で完了する実証済みの製造プロセス、さまざまな市場セグメントに合わせたポートフォリオの迅速な展開により、フラッシュメモリーにおけるインテルのリーダーシップをさらに強化しています。

インテルのイノベーションによるストレージの大容量化

インテルはインテル® QLC テクノロジーを使用して世界初の PCIe* SSD を発表しました。インテル® QLC 3D NAND テクノロジーは、前世代の 3D NAND よりも最大 33% 高い面密度 1 を実現。また、固有のPCIe* アクセラレーション機能も備え、パフォーマンス、容量、価値実現を組み合わせた高い信頼性により、データセンターおよびクライアント市場向けのスマートなストレージ・ソリューションを提供します。

インテル® QLC テクノロジーは、実績のある 64 層構造を備えた現行 3D NAND を活用し、セル当たり 1 ビットを追加した 4 ビット / セル (QLC) を提供します。これは、世界最高密度のフラッシュメモリーです。さらに、このテクノロジーは、信頼性の高い低コストのストレージ方式であるフローティング・ゲート・セルを採用しています。また、PCIe*/NVMe* テクノロジーとの組み合わせにより、SATA インターフェイスと比較して最大 4 倍のパフォーマンスというメリットをもたらします。2

信頼性の高いインテル® テクノロジーを基盤とし、製造分野でのインテルのリーダーシップに支えられたインテル® QLC で将来に備えてください。

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SSD パフォーマンスが大きなビジネス価値をもたらす時代の到来

例えばデータセンターの場合、インテル® QLC 3D NAND テクノロジーが HDD システムの設置面積を劇的に縮小します。3 維持するシステム数を削減できれば電力と冷却コストの節約になり4、同時にドライブ交換に伴う運用および資本コストの削減にもつながります。5 さらに、設置面積が縮小するにしたがって、パフォーマンスが向上します。6 PCIe* アクセラレーションにより SATA のボトルネックが解消され7、QLC の性能が最大限に引き出されます。オプションのインテル® Optane™ テクノロジーと組み合わせることにより、インテル® 3D NAND テクノロジーのデータセンター向け製品はさらに高いパフォーマンスを提供し2、最も必要とされるデータへのアクセスを高速化します。

インテル® SSD D5-P4320 シリーズインテル® SSD D5-P4326 シリーズインテル® SSD D5-P4420 シリーズに搭載されたインテル® QLC テクノロジーを使用すると、さらに多くのデータを処理、格納、保存できるようになります。現在、数量限定で出荷中です。

驚くほどの大容量を手ごろな価格で

驚くほどの大容量を手ごろな価格で

インテル® QLC 3D NAND テクノロジーにより、消費者ユーザーはストレージに対する現在のニーズにも、将来的な需要拡大にも備えることができます。このクライアント向け SSD シリーズには TLC ベースのストレージよりも多くのデータを格納することができ、同等の設置面積で最大 2 倍の容量を確保できます。1 この画期的なテクノロジーを PCIe* と組み合わせ、手ごろな価格で PCIe* パフォーマンスを実現しているのはインテルだけです。

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容量と信頼性を追求した設計

インテル® 3D NAND テクノロジーは、業界で加速するデータストレージ容量への需要増大に対する革新的な答えです。市場で利用可能なほかの NAND ソリューションと比べて小型のセルサイズと効率性の高いメモリーアレイを使用するフローティング・ゲート・アーキテクチャーに基づいて設計されているため、電荷損失を防ぐ強力な保護機能を備えた大容量ソリューションと高い信頼性が実現されています。

イノベーションのリーダシップ

64 層への飛躍的進歩

インテルは 30 年にわたるフラッシュセルでの経験を活用して、NAND を 2D から 3D へ、マルチレベル・セル (MLC) をトリレベル・セル (TLC) へ、32 層を画期的な 64 層テクノロジーへと移行させました。すべて、最高の面密度8 を実現し、3D NAND ソリューションでストレージ容量を短時間で拡張するためのものです。

幅広い製品ポートフォリオ

実績のあるプロセスを基盤に構築

インテルは 3D NAND テクノロジーにより、幅広い製品ポートフォリオで革新的かつ価値の高い機能を提供します。SSD ソリューション向けにこのアーキテクチャーを設計した経験により、インテルは世代が更新されるたびにパフォーマンス、電力消費、性能の安定性、信頼性を飛躍的に向上させることができます。

製造における拡張性

常識を塗りかえるようなビジネスチャンスの実現

インテルは、数十年に及ぶ大量生産により実証された製造プロセスを使用して、3D NAND テクノロジーを構築しています。工場ネットワーク全体にわたる強い世代別相乗効果により、インテルは 3D NAND の容量を市場水準よりも短期間で拡大できると見込んでいます。これにより、常識を塗りかえるような総保有コストとアプリケーションの高速化を顧客基盤に提供します。

免責事項

1

TLC (Triple Level Cell) は 1 セルに 3 ビットの情報を格納します。一方、QLC (Quad Level Cell) は 1 セルに 4 ビットの情報を格納します。計算すると、QLC は TLC に比べて、1 セル当たりのビット数が (4-3)/3 = 33% 多いことになります。

2

4 ノード vSAN* クラスター – 1 ノードシステム構成: サーバーモデル: インテル® Purley S2600WF (R2208WFTZS)、MB: H48104-850;CPU: デュアルインテル® Xeon® Gold 6142 2.6G プロセッサー、16C/32T、10.4GT/s、22M キャッシュ、ターボ、HT (150W) DDR4-2666;メモリー: 16GB RDIMM、2666MT/s、デュアルランク x16;NICs: インテル® X520-DA2 10GbE SFP+ DAC、組込み機器向けインテル® X722 10GbE LAN。完全 TLC 構成: インテル® SSD データセンター P4610 シリーズ 1.6TB x2 (キャッシュ層) とインテル® SSD データセンター P4510 シリーズ 4TB x4 (ストレージ領域);インテル® Optane™ メモリー + QLC 構成: インテル® Optane™ SSD DC P4800X 375GB x2 (キャッシュ層) とインテル® SSD D5-P4320 7.68TB x2 (ストレージ領域)。2 ワークロード: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench VM 数: 16、データディスク数: 8、データディスク・サイズ: 60、テスト対象ディスク数: 8、ワーキングセットの割合: 100%、1 ディスク当たりのスレッド数: 4、ブロックサイズ: 4K、リード処理の割合: 70%、ランダムの割合: 50%、テスト時間: 3600。結果: インテル® SSD データセンター P4610 シリーズ + インテル® SSD データセンター P4510 シリーズの構成では、83,451 IOPS @ 6.3ms レイテンシー。インテル® Optane™ SSD DC P4800X + インテル® SSD D5-P4320 の構成では、346,644 IOPS @ 1.52ms レイテンシー。

3

WD Gold エンタープライズ・クラス 3.5 インチ 7200rpm HDD 4TB を 2U につき最大 24 基搭載すると、20U の合計容量は 960TB となります。その一方で、近日発売予定のインテル® SSD D-5 P4326 E1.L 30.72TB を 1U につき最大 32 基搭載すると、1U の合計容量は 983TB となります。つまり、後者のラック 1 ユニットが前者のラック 20 ユニットに匹敵します。

4

電力、冷却、コンソリデーションのコスト削減については、 次のデータに基づいています。HDD: 7200 rpm、4TB、年間故障率 2.00%、動作時消費電力 7.7W、2U に 24 ドライブ (全体の消費電力 1971W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 動作時消費電力 22W、年間故障率 44%、1U に 32 ドライブ (全体の消費電力 704W)。冷却コストは稼働期間 5 年、1 Kwh 当たり 0.158 ドル、1 ワットの熱の冷却に要するワット数 1.20 として計算しています。HDD は 3.5 インチ (2U に 24 ドライブ)、SSD は EDSFF 準拠 1U ロング (1U に 32 ドライブ) です。ハイブリッド・ストレージでキャッシュ層にインテル® TLC SSD を使用することを前提としています。

5

ドライブ交換のコスト削減については、 次の計算に基づいています。HDD: AFR 2% x 256 ドライブ x 5 年 = 5 年間に 25.6 回の全交換、SSD: AFR 0.44% x 32 ドライブ x 5 年 = 5 年間に 0.7 回の全交換。

6

インテル® SSD D5-P4320シリーズと Toshiba N300 HDD において、4K ランダムリード処理をキューの深度 32 で実行した場合の IOPS を比較。175,000 IOPS:インテル® SSD D5-P4320シリーズ7.68TB SSDからのデータを測定。4K ランダムリード処理時の IOPS、キューの深度 32。532 IOPS: Toshiba N300 HDD 8TB 7200 における Tom’s Hardware 公開のベンチマーク結果。4K ランダムリード処理時の IOPS、キューの深度 32 (https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html)。したがって 4K ランダムリード処理時の IOPS は 329 倍優れています。

7

PCIe* IOPS は、インテルが実施した 4K ランダムリード処理 (キューの深度 256) シミュレーションのパフォーマンス評価に基づいています。評価の対象は、インテル® SSD D5-P4320シリーズ/インテル® SSD D5-P4326シリーズ (PCIe* 対応 QLC SSD) のさまざまな容量タイプ (3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB) です。SATA IOPS はすべての容量タイプで 100K IOPS に設定しています。これは、現在の競合製品である Micron* の SATA ベース SSD で処理可能な最大値 100K IOPS を基準としています。Micron* 5200 シリーズ NAND Flash SSD のデータシートでは、3.84TB SKU および 7.68TB SKU において 4K ランダムリード処理 (キューの深度 32) を実行した場合、最大で 95K IOPS とされています。

8

3D NAND 対応インテル® SSD 512 GB の代表的な競合製品 (Samsung Electronics* と Western Digital*/Toshiba* の 64 スタック 3D NAND コンポーネントのダイサイズを論じた 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference の文書に基づく) をインテルが測定したデータの面密度から比較。