インテル® 22 nm テクノロジー

量産が可能な世界初の 3D トランジスターを導入

3D/22 nm:新しいテクノロジーにより、パフォーマンスと電力効率のこれまでにない組み合わせを実現

将来のマイクロプロセッサー・ファミリー向けに今までとは根本的に異なるテクノロジーを導入しました。それが、22 nm プロセスで製造された 3D トランジスターです。この新しいトランジスターにより、ムーアの法則に忠実に従うことが可能となり、お客様が期待するテクノロジーの進化のペースを今後も継続できるようになりました。

これまで、トランジスター (マイクロプロセッサーのコア) は、2D (平面) デバイスでした。インテルは、インテル® 3D トライゲート・トランジスターの開発と、その量産を可能にして、コンピューター・チップの基本構造を劇的に変化させました。トランジスターの歴史をご紹介します。

このことはまた、インテルが世界最速のスーパーコンピューターから超小型のモバイル端末まで、強力な製品を引き続き率先して提供できることを意味しています。

小さいことは良いこと

エンドユーザーにムーアの法則のメリットを提供するうえで、トランジスターのサイズと構造は中心となるものです。トランジスターは、小型化と低消費電力化を推進することで性能を高めることができます。インテルは、これからも、予想されている通りに製造技術の小型化で世界記録を更新し続けていきます。これまでインテルは、2007 年に High-k/メタルゲートの 45 nm、2009 年に 32 nm、そして 2011 年初頭には、量産ロジックプロセスでの 22 nm の世界初の 3D トランジスターを実現しています。

小型の 3D トランジスターにより、インテルでは電力効率が非常に高い、さらに強力なプロセッサーの設計が可能になりました。この新しいテクノロジーにより、革新的なマイクロアーキテクチャー、システム・オン・チップ (SoC) 設計に加え、サーバーや PC からスマートフォンや最新鋭のコンシューマー向け製品など、新世代の製品の提供が可能になったのです。

3 次元 (3D) のトランジスター

インテル® 3D トライゲート・トランジスターでは、3D 構造のシリコンチャネルに覆われた 3 つのゲートを使用して、画期的なパフォーマンスと電力効率の組み合わせを実現します。インテルは、スマートフォンやタブレットなどの携帯用デバイスで、他にはない超低消費電力を実現するとともに、ハイエンド・プロセッサーに通常期待されるような高いパフォーマンスを発揮する新しいトランジスターを設計しました。

プロセッサーのイノベーションを実現

新しいトランジスターは低電圧で非常に高い効率性を発揮するため、インテル® Atom™ プロセッサーの設計チームは、22 nm のインテル® Atom™ マイクロアーキテクチャー向けに、新しいアーキテクチャー方式を取り入れることが可能になりました。新しい設計は、超低消費電力の 3D トライゲート・トランジスター・テクノロジーのメリットを最大限に引き出します。さらに、22 nm の 3D トライゲート・トランジスターをベースとしたインテルの将来の SoC 製品は、アイドル時の消費電力を 1 mW 未満に抑え、超低消費電力の SoC を実現します。

インテルのリードとユーザーのメリットは続く

2011 年末に導入された第 3 世代インテル® Core™ プロセッサーは、3D トランジスターを採用する初の量産チップでした。

インテルは、22 nm の 3D トランジスター・テクノロジーにより、サーバー、PC、ノートブック PC、小型機器などの製品で業界をリードし続けており、消費者や企業は、さまざまな薄型フォームファクターにおける、コンピューティングとグラフィックのさらなる高速化や、バッテリー駆動時間の延長を期待することができます。

 

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