インテル® プロセッサー搭載のデバイスは超高速で省電力

モバイルデバイスからサーバーまで、幅広い製品に対応する 14 nm トランジスターは、パフォーマンスを向上させるとともに、リーク電力を削減します。 インテルの 14 nm テクノロジーは、サーバーや PC、モノのインターネット (IoT) 用製品など、高性能製品から低電力製品までさまざまな製品の製造に使用されるでしょう。インテル® Core™ M プロセッサーを搭載した最初の製品は 2014 年の年末商戦に店頭に並び、続く 2015 年上半期には幅広いメーカーで採用されています。数カ月以内に、14 nm プロセス・テクノロジーをベースとした製品がさらに発表される予定です。

第 2 世代の 3D トライゲート・トランジスターを使用した 14 nm テクノロジーは、性能、低消費電力、高密度、トランジスターあたりのコストで業界最高レベルを実現しました。引き続き高性能製品から低電力製品まで、さまざまな製品の製造に使用されるでしょう。

小さいことは良いこと

インテルの 14 nm テクノロジーは、22 nm から最適なスケールダウンが行われています。トランジスターに薄くて背の高いフィンを採用して、フィン間隔を狭めることで、トランジスター密度を高め、静電容量を低減しました。改善されたトランジスターに必要なのはフィンの数の減少、さらなる高密度化の実現です。SRAM セルサイズは 22 nm の約半分に縮小されています。


14 nm 製品

インテルの 14 nm プロセスと主要なシステム・オン・チップ (SoC) 製品は、オレゴン州 (2014 年)、アリゾナ州 (2014 年)、アイルランド (2015 年) で認定され、量産されています。

関連ビデオ

インテルのフェローを務めるマーク・ボーア (Mark Bohr) が、新しい 14 nm のトランジスター・プロセスおよびトライゲート・トランジスターのフィン構造について説明します。薄く高さのあるフィンを採用して、フィン間隔も狭めています。さらに、パフォーマンスの向上、省電力化、バッテリー持続時間の延長がもたらす、より良いコンピューティング体験の実現についても語ります。

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インテルは、インテル® 3D トライゲート・トランジスターの開発と、その量産を可能にして、コンピューター・チップの基本構造を劇的に変化させました。トランジスターの歴史をご紹介します。

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