最先端の製造プロセス・テクノロジーで構築
インテル・ファウンドリー で今日まで続く、一貫したイノベーションを実現するというインテルのレガシーを活用しましょう。
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インテルは過去 20年間、主要なトランジスターのイノベーションを推進してきました。フィン型電界効果トランジスター (FinFET) の製造を主導するインテルは、2D トランジスターチャネルを 3 次元に引き上げることでチャネルを流れる電子の制御を大幅に改善しました。
これらのトランジスターは低リークで低電圧にて動作し、パフォーマンスの向上にもかかわらずエネルギー効率を改善するという前例のない組み合わせを実現します。その結果、トランジスターの小型化、高速化、および消費電力の削減がかつてないほど実現しました。
インテルは、10 年近く前に FinFET を導入して以来、絶えず改良を重ねてきました。現在、インテルは RibbonFET と PowerVia の画期的なテクノロジーにより、次世代のトランジスターのイノベーションを推進しています。
Intel 16: FinFET への最適なゲートウェイ
平面的な柔軟性を備えた FinFET の利点:
- マスク数が少なく、バックエンドの設計ルールがシンプルな、16nm クラスノードのパフォーマンス。
Intel 3: インテルの究極の FinFET ノード
極端紫外線 (EUV) 広範囲に使用したワット当たりのハイパフォーマンス:
- 0.9 倍のロジックスケーリングとワット当たり 17 %のパフォーマンス向上を実現した Intel 4 の進化1。
- より高密度なライブラリを追加し、ドライブ電流と相互接続を改善しながら、Intel 4 の学習から恩恵を受け、歩留まりを向上させています。
- 一般的なコンピューティング・アプリケーションに最適。
Intel 18A: FinFET 以来最大のイノベーション
RibbonFET と PowerVia の紹介:
- 2011年にインテルが HVM に FinFET を導入して以来、最大のイノベーション。
- Gate-All-Around (GAA) トランジスターは、FinFET に対して密度とパフォーマンスを向上させます。
- 最適化されたリボンスタックは、ワット当たりの優れたパフォーマンスと最小電源電圧 (Vmin) を実現します。
- PowerVia は、インテル独自の業界初となる背面給電アーキテクチャーの実装であり、スタンダードセル使用率を 5 ~ 10% 向上させ、パフォーマンスを 5% 以上向上させます2。
- High Performance Computing (HPC) とモバイル・アプリケーションに最適。
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次世代シリコンの構築を支援するため、インテルは世界各地の製造現場で多大な投資を行い、世界的なリーダーシップを発揮しています。インテル独自の製品は、堅牢なパートナー・エコシステムによって補完された高度なプロセス・テクノロジーよって実現されています。
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インテル社内の分析に基づく。
この Web ページには、将来のテクノロジーおよび製品に関して、また、そのようなテクノロジーおよび製品の期待されるメリットと可用性など、インテルの将来の計画や予想について未来の見通しの記述が含まれています。これらの記述は現在の予想に基づいており、実際の結果がそのような記述で表明または暗示されたものと大きく異なる原因となる可能性のある多くのリスクと不確実性を伴います。実際の結果が大幅に異なる原因となり得る要素の詳細については、www.intc.com でインテルの最新の収益に関するリリースおよび SEC 提出書類を参照してください。